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Início / Produtos / Filtros de ar e filtragem química Filtro ULPA de Membrana eP / TFE
Filtros de ar e filtragem química

Membrana ePTFE ULPA Filtro

Z Um painel de membrana ePTFE ultra-limpo que oferece opções de eficiência U15 ou U16, baixa queda de pressão e emissões iônicas ou de fibras reduzidas para processos de semicondutores.
  • Z U15 - U16 ePTFE Mídia
  • Camada de filtragem livre de boro
  • Baixa Pressão Drop
  • Z Construção de baixa desgaseificação
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Introdução do produto

Z O filtro ULPA de membrana ePTFE usa uma membrana de politetrafluoroetileno expandida laminada a um suporte estável e formada em mini-plets estreitamente controlados. A camada de filtração não borosilicato reduz o derramamento de fibra e evita o boro dos meios de vidro convencionais, enquanto a estrutura de membrana fina pode fornecer menor resistência em ultra-alta eficiência. Separadores de baixa descarga de gás e potes de poliuretano asseguram o pacote em uma estrutura de alumínio anodizado. Versões de gel, junta ou lâmina se integram com tetos de sala limpa de semicondutores, unidades de filtro de ventilador e mini-ambientes de ferramentas de processo.

Características-chave

Z A membrana de PTFE expandida suporta configurações U15 ou U16 sem uma superfície de fibra de borosilicato exposta.

Z A fina camada de membrana proporciona um perfil de queda de pressão favorável para sistemas de sala limpa de alta recirculação.

Os meios hidrofóbicos resistem à exposição breve à umidade e a muitos produtos químicos de descontaminação de rotina em salas limpas.

Os suportes de embalagem de baixa descarga de gás, os materiais de envasamento e estrutura limitam as emissões moleculares evitáveis perto das ferramentas de processo.

Preocupações do produto do cliente

Os processos de semicondutores ultralimpos precisam de controle de partículas de classe U sem adicionar boro, fibras ou resistência excessiva ao ventilador de recirculação.

Os meios de borosilicato contribuem com material iônico indesejado perto de um processo sensívelA camada de filtração de ePTFE evita os meios convencionais de fibra de vidro na superfície de captura ativa.
A eficiência da classe U consome muita pressão em uma sala limpa continuamente recirculada.Z A membrana de alta porosidade e a área de dobragem otimizada reduzem a resistência na velocidade da face selecionada.
Z As fibras liberadas da face a jusante afetam a óptica ou as superfícies da bolacha.Uma membrana não fibrosa suportada apresenta uma superfície de filtração limpa a jusante.
Os materiais de construção do filtro adicionam COVs a um ambiente de processo de baixa descarga de gases.Z Os separadores selecionados, os componentes de pot e estrutura minimizam as emissões de materiais evitáveis.

Aplicações típicas

Z Fabricação Avançada de SemicondutoresZ Processo de fotolitografia BaysZ Fabricação de OLED e painel planoÓptica de precisão AssemblyEquipamentos de baixa descarga de gás mini-ambientes

Parâmetros técnicos

As faixas de construção representativas para os painéis ULPA de membrana ePTFE são mostradas abaixo.

Material principalMídia ULPA de membrana de PTFE expandida suportada com separadores de polímero de baixa descarga de gás
Painel de espessura65 - 150 mm de profundidade total do quadro de alumínio
Largura efetiva305 - 610 mm Largura nominal da face
Comprimento máximoAté 1220 mm de comprimento nominal do rosto
Aço enfrentando espessura0,4 - 0,6 mm de baixa derramamento de aço inoxidável ou grade de proteção revestida
Densidade CoreAproximadamente 20 - 35 kg / m3 equivalente à densidade de membrana de ePTFE
Condutividade térmicaAproximadamente 0,030 - 0,040 W / (m · K) para o pacote de membrana suportada a seco
Superfície acabadoAlumínio anodizado natural limpo com protectores de baixo derramamento de grau semicondutor
Tipo conjuntoGel de poliuretano, vedação de célula fechada ou vedação de perímetro de borda de faca extrudada
CustomizaçãoDisponível com base na aplicação pretendida e no ambiente operacional.

Opções disponíveis

Eficiência da membrana U15 ou U16Z 65 mm, 90 mm ou 150 mm de profundidade do quadroGel, vedação ou vedação de borda de facaPacote de componentes semicondutores de baixa descarga de gás

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